光刻机制程和精度区别在哪（光刻机制程和精度区别在哪儿）
光刻机制程和精度区别在哪（光刻机制程和精度区别在哪儿）
光刻机的主要性能指标有：
1、支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
2、分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。
3、光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
4、对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
5、曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
6、曝光光源波长为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
我们日常使用的手机里面的芯片就是光刻机制造出来的，光刻机是芯片制造过程当中一个重要的环节，光刻机直接决定着芯片的质量。而我国作为全球最大的芯片消费国之一，光每年进口的芯片都高达几万亿人民币。
光刻机是芯片制造过程中最重要的一部分，就是我们把想要设计的芯片，用光学技术刻在晶圆上，用光学技术把各种各样形式的电路通过光刻胶把电路印制在基板上， 然后再进行下一步的刻蚀过程 。通过光刻胶印制的电路可以使阳文形式的电路，也可以是阴文形式的电路。
光刻机目前一直处于垄断地位，在光刻机领域，最有名的就要提到ASML公司了，它是一家荷兰的公司。最初光刻机领域比较厉害的两个国家是荷兰和日本，而在2017年之后，ASML联合台积电推出了光源浸没式系统开始，将日本企业甩开距离，从此稳坐头把交椅的宝座。技术一直处于垄断地位。
一台顶级的光刻机需要各种顶级的零件支持，而这些零件大部分都来自西方的国家。而这些基本上都是禁止对我们国家出口，因此我国光刻机技术受到限制。前段事件美国制裁华为，不允许世界上任何一个国家给华为提供技术，华为虽然可以设计芯片，但是设计芯片的高端软件还主要依赖于海外。
我们中国现如今可以量产的光刻机才发展到90nm，距离国际水平我们还是有很长的路要走的。但相信在不久的将来，我们国家也能研制出属于我们自己的光刻机。到那个时候我们就不需要受到外国人的制裁了，因为我们就能制造出芯片供我们的国民使用。
简单一点解读，两种机器:
首先工艺不同:刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上;
其次难度不同:光刻机的难度和精度大于刻蚀机。
蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备。
不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为
核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。
刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中
标注好的线路。
影响光刻机精度的因素：
光刻机中的一个重要的性能指标指的是每个图形的分辨率。分辨率是衡量分开相邻两个物点的像的能力。按照几何光学理论，光学系统没有像差时，每个物点应该产生一个锐利的点像，但是由于衍射现象的存在，实际的成像结果总是一个有限大小的光斑。如果两个光斑发生了重叠，则二者中心强度极大值的位置很近，就越难以分辨出这两个物点。在先进的半导体集成电路制造中，为获得高集成度器件分辨率很关键。光刻分辨率对任何光学系统都是一个重要的参数，并且对光刻很关键，因为需要在硅片上制造出极小的器件尺寸。硅片上形成图形的实际尺寸就是特征尺寸，最小的特征尺寸即关键尺寸，对于关键尺寸来说，光刻分辨率很重要。
尽管国产光刻机精度只有90nm，非常落后，但还是很有存在的必要！不管是从用户的角度，还是产业的角度，抑或国家的层面，90nm的国产光刻机，都必须存在。国产光刻机制程精度不高，不是取消或者淘汰国产光刻机的理由。如果我们因为国产光刻机落后，就非常进行放弃，把市场拱手相让，必将对相关产业和国家安全造成很大的冲击。对于国产光刻机落后的局面，我们必须抱以更大的耐心和信心。
一、对于低端芯片用户而言，精度90nm的国产光刻机必须存在。
很多人说起芯片制程，言必2nm、5nm、7nm EUV，至于90nm制程工艺，认为根本没有存在的必要。其实，这是一个非常片面的认知。现在的不同的层面，对芯片有着不同的需求。高精度制程的芯片需求，其实只是其中的一块小蛋糕而已。真正的大蛋糕是中低端的芯片，例如90nm制程的芯片。
作为制造强国，我国许多行业对于90nm及以下制程的芯片，有着广泛的需求。电视机、智能家电、功能手机、智能机械设备等，都需要用到精度不高芯片。这些行业的巨量需求，要求国产90nm光刻机，必须存在。唯有这样，才能更好的满足，我国低端芯片用户的需求，不用跑到外国花费更多的钱去进口。
二、对于国内芯片产业链而言，精度90nm的国产光刻机必须存在。
尽管国内的芯片制造工艺，还非常的落后，但也一样是一个巨大的市场，养活了许多芯片从业人员，拉动了很多相关的配套产业。如果真的取消或者淘汰90nm国产光刻机，国内的芯片产业链，将遭受到毁灭性的打击，很有可能毁了整条产业链，让成千上万的从业人员失业。
看看中芯国际的财报，就知道90nm国产光刻机存在的重要性。中芯国际是我国最先进的芯片制造厂，目前已经可以量产14nm制程的芯片，28nm等中精度制程的芯片更是不在话下。但中芯国际的2019的财报显示，它31.16亿美金的营收里面，有一半是90nm及以下制程的生产线贡献的。由此可见，90nm的国产光刻机，还是非常重要的。
三、基于国家极端风险，精度90nm的国产光刻机必须存在。
在国家层面上，光刻机的精度和工艺，肯定是越先进越好。我国肯定希望可以进行进入7nm，甚至更高精度的层次。可惜，现实的情况有种种的困难，让我们国家没有办法短时间内进入芯片制程高精度的层次。在没有办法进入高精度层次的情况之下，保证低精度层次的光刻机是非常必要的。
这最起码不会导致国家无“芯”可用。站在国家层面，从最恶劣的角度出发，我们必须要有这个准备。90nm国产光刻机的存在，最起码可用保证我们有芯片可用，不至于全军覆没。要知道，我们很多军用的芯片，都靠90nm及以下精度的光刻机生产。如果我们放弃了90nm的国产光刻机，我们就会处于更加劣势的地位，完全没有讨价还价的能力。从这个角度出发，90nm光刻机必须要有，还要加大力气去扶持。
刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。
扩展资料：
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动
1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀
