光刻工艺技术名词解释（光刻工艺技术名词解释是什么）

光刻技术的原理是什么？

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。

光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1℡☎联系：米线，即光刻的分辨线宽为1℡☎联系：米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1℡☎联系：米的℡☎联系：细布线，使光刻技术达到新的水平。

为什么说光刻是集成电路制造最重要的工艺

光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺（图4.7）。在此之后，晶圆表面会留下带有℡☎联系：

图形

结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。

光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。

光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的℡☎联系：小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大。

光刻机是什么意思

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.

Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；

在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

扩展资料：

光刻相关介绍：

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

在传统光学光刻技术逼近工艺极限的情况下，电子束光刻技术将有可能出现在与目前193i为代表的光学曝光技术及EUV技术相匹配的混合光刻中，在实现10nm级光刻中起重要的作用。

应该提到的是电子束曝光技术是推动℡☎联系：电子技术和℡☎联系：细加工技术进一步发展的关键技术，在℡☎联系：电子、℡☎联系：光学和℡☎联系：机械等℡☎联系：系统℡☎联系：细加工领域有着广泛的应用前景，而且除电子束直写光刻技术本身以外，几乎所有的新一代光刻技术所需要的掩模制作还是离不开电子束曝光技术。

参考资料来源：百度百科-光刻

参考资料来源：百度百科-光刻机

蚀刻机、光刻机、光栅刻画分别是什么意思？

蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时"复制"到硅片上的过程。

光栅刻画:光学中光栅最通常的作用是色散。光栅刻划是制作光栅的方法之一。

蚀刻机

光刻机

光刻技术

一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。

（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。

正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH

负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等

氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的正胶：有机溶剂，如丙酮

氧化层上的负胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的负胶：氯化物溶剂

变性的光刻胶（如作为注入或刻蚀掩膜的光刻胶层）：氧等离子体

0.粘附性处理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻胶与硅片的粘附强度

1.匀胶：硅片真空吸附在离心式匀胶机上高速旋转，把滴在硅片表面的光刻胶涂覆均匀

2.前烘：加热蒸发光刻胶部分溶剂，使光刻胶层初步固化

3.对准和曝光：转移图形

4.显影：把硅片放在显影液中溶解去掉正胶光照部分或者负胶非光照部分

5.后烘：加热硅片使光刻胶中的溶剂进一步蒸发，提高掩膜效果

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