光刻胶作为光刻过程的核心材料,其质量和性能直接决定集成电路的性能、良率。伴随着先进节点所需光刻胶分辨率的提升以及多次图形化技术的应用,光刻胶的成本占比以及市场规模呈现不断提升趋势,根据SEMI的数据,2018年光刻胶占晶圆制造材料比例约为5.4%,对应全球半导体光刻胶市场总规模为17.3亿美元,预计2019年市场规模可达17.7亿元。
根据统计国内晶圆投资情况,建厂热潮直接带动晶圆代工产业链快速成长,光刻胶直接用于实际生产过程且具备采购相对迅速特点,预计2019-2020年为国内光刻胶需求快速放量期。国家政策推动自主可控、国内光刻胶技术逐渐突破、代工厂商分摊供应商风险将持续推动内资晶圆代工厂商提升对国产光刻胶的接受程度,给予国内优质的光刻胶厂商快速成长的机会。
南大光电
南大光电 主要从事高纯电子材料研发、生产和销售,通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化。目前,公司形成MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料等业务板块。公司与宁波经济技术开发区管理委员会签署了《投资协议书》。按照协议,上市公司拟在宁波经济技术开发区投资开发高端集成电路制造用各种先进光刻胶材料以及配套原材料和底部抗反射层等高纯配套材料,形成规模化生产能力,建立配套完整的国产光刻胶产业链。
项目计划总投资6亿元,预计总用地50亩。项目完全达产后,预计实现约10亿元的年销售额,年利税预计约2亿元。目前公司正在自主创新和产业化的193nm光刻胶项目仍处于研发阶段,产业化建设同步进行。
容大感光
容大感光 的光刻胶产品主要包括紫外线正胶、紫外线负胶两大类产品以及稀释剂、显影液、剥离液等配套化学品,主要应用于平板显示、发光二极管及集成电路等领域。
本文仅供参考,不作任何投资建议,股市有风险,入市需谨慎!
,ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。
半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G线(436nm)、I线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV),
相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短,加工分辨率越佳。
目前半导体用光刻胶,主要分为5个种类:g线光刻胶,i线光刻胶,KrF光刻胶,ArF光刻胶和EUV光刻胶。
作为一个投资者,一定要有强大的学习能力,来接受各种知识,最近在A股市场上光刻胶概念火了,那么光刻胶到底是什么呢?这篇文章就跟大家聊聊这个话题。
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。
1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。
光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB用光刻胶等,其技术壁垒依次降低。相应地,PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的,LCD光刻胶替代进度相对较快,半导体光刻胶目前国产技术较国外先进技术差距最大。
PCB光刻胶,技术含量较低。全球PCB光刻胶市场规模在20亿美元左右,中国市场规模占比达50%以上。随着PCB光刻胶外企东移和内资企业的不断发展,中国已成为全球最大的PCB光刻胶生产基地。
LCD光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区,海外企业市占率超过90%。彩色滤光片所需的高分子颜料和颜料的分散技术主要集中在Ciba等日本颜料厂商手中,因此彩色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。
综合以上信息,其实光刻胶是一个造芯片绕不过去的产品,希望这篇文章能给大家带来帮助,感兴趣的投资者们一定要多多的了解学习!